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电子元器件详细资料 » IC[23747] » MKI50-12F7
型号:MKI50-12F7类别:IGBT制造商:IXYS
封装:E2描述:MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 65A E2

详细参数

类别IGBT
描述MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 65A E2
系列-
制造商IXYS
IGBT类型NPT
配置全桥反相器
电压_集电极发射极击穿111最大2221200V
VgewwwwIc时的最大Vce111开2223.8V @ 15V,50A
电流_集电极(Ic)111最大22265A
电流_集电极截止111最大222700µA
Vce时的输入电容(Cies)3.3nF @ 25V
功率_最大350W
输入标准
NTC热敏电阻
安装类型底座安装
封装/外壳E2
供应商设备封装E2

供应商

江苏芯钻时代电子科技有限公司陈先生18913062888
上海如美电子科技有限公司杨全兴086-021-51097965
昆山隆诚翔电子有限公司曾小姐0512-82613006
江苏芯钻时代电子科技有限公司陈先生18913062888
源辰芯科技(深圳)有限公司李经理0755-82170267
现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
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MKI50-12F7相关型号

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